半导体器件包括ESD保护电路，但是要确保按照JEDEC标准的有效性和可靠性要求，必须进行ESD测试以使零件合格。ESD测试共有三种主要测试模型：人体模型（HBM），充电设备模型（CDM）和机器模型（MM）。
静电放电（ESD）和过电应力（EOS）事件可能发生在任何地方，例如制造和装配过程区域，生产测试环境，运输和现场应用。EOS和ESD可能是由于瞬态，过大的电源电流，不良的接地，电源电压和地之间的电阻路径低，引脚短路以及电路的内部损坏而由用户的应用引起的。如果暴露在超出数据手册规格的条件下，该IC最终可能会发生故障。
在数据表格范围内操作时，EOS损坏不会由组件的内部条件引起，故在出现异常情况时会发生。由于接地不当，测试和处理设备会积累静电荷，当静电荷接触时，静电荷会通过IC传输。HBM模拟由于人体放电而产生的ESD，人们被认为是ESD的主要来源，而HBM是描述ESD事件的常用模型。CDM模拟带电设备与导电材料接触时的放电，MM表示从物体到组件的放电，对象可以是任何工具或生产设备。
一、人体模型HBM
当人们走路时，它们会产生一些电能并将其排放到地面，可用以下方式表示：
delta V /delta t = n * delta q / C
其中，n 是步数/秒，C是人的电容。考虑在绝缘地板上的典型情况，其每人步长的delta V增加300V，并在10秒内达到约3kV。 对于HBM测试，有一个简单的串联RC网络可模拟人体放电。1M欧姆电阻器用于100pF电容器充电，一个1.5k欧姆的电阻用于放电。HBM事件最具破坏性，上升时间快。故需要快速上升时间脉冲来更精确地模拟HBM放电事件。
二、充电设备模型CDM
CDM模拟无法通过HBM测试模拟的设备损坏，它可以模拟通过摩擦电效应直接充电的设备，也可以通过存储在人体中并在外部环境中放电的静电感应和静电荷间接地充电。该测试用于模拟制造环境中发生的情况，例如机械设备处理（其中设备从运输管中滑落）或测试处理程序，这些处理程序会积累电荷，然后将其放电到地面。下图显示了CDM ESD测试和典型电流波形特性，当外部接地接触被充电设备的DUT引脚时，存储的电荷将从设备释放到外部接地。在CDM测试中，设备保持在其背面，在测试夹具上朝上。
由于路径中没有限流电阻来限制放电，故CDM电流高于HBM电流。对于500V测试电压，电流波形上升时间通常约为400ps，峰值电流约为6A，持续1.5至2ns。对于1000V测试电压，峰值电流大小约为12A。
三、机器模型MM
MM也称为0-欧姆模型，旨在模拟通过设备放电到地面的机器。MM测试中的失败模式与HBM测试中德失败模式相似。在测试设置中，与电阻器串联的高压（HV）电源为电容器充电。开关用于将其从高压电源中移除，并将其连接至电感器以进行放电，电感器产生振荡电流波形。
MM使用与HBM相同的基本测试电路，不同之处在于R=0欧姆和C=200pF。一个200pF的电容器代表一个导电物体，例如金属处理机，与一个1M欧姆电阻器一起使用进行充电。使用0.5μH的电感进行放电，MM测试不如HBM测试更常用。MM电流特征波形由正弦和负弦正弦波组成，并呈指数衰减。
