电路设计中经常要与电源打交道，电源的稳定性和精确性直接影响整个电路的正确工作与否。通常根据Datasheet的应用举例，怀着既有之则用之的心态，根据实际需求搭建外围电路完事。即使完成的电路能正常工作，却亦缺失了内部的技术细节，对自身的提高和成长并没有很好地效果。文中以LM2675为例，对其内部结构进行相对详细的梳理，同时也对自身基础知识的温习。
要充分了解LM2675，Datasheet当然是必不可少的文件，LM2675-5.0的典型应用电路如下图所示，典型应用电路整体呈现为Buck拓扑结构：
芯片内部各单元模块组成如下图所示：
该图中包含了电源芯片内部的全部单元模块，芯片的主要功能是实现对MOS管的驱动，并通过FEEDBACK脚检测输出状态来形成环路控制PWM驱动功率MOS管，实现稳压或者恒流输出。这是一个非同步模式电源，即续流器件为外部二极管，而不是内部MOS管。各模块功能分析如下：
一、基准电压
电源芯片内部基准电压为芯片其他电路提供稳定的参考电压。该基准电压要求精度高、稳定性好、温漂小。芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压，由于这个电压值和硅的带隙电压相近，故被称为带隙基准。该值大约为1.2V左右，如下图结构所示：
PN结的电流和电压公式：
上式中呈现出指数关系，IS是反向饱和漏电流（即PN结由于少子漂移造成的漏电流）。该电流和PN结的面积成正比！！！即IS—>S。
如此可以推导出 VBE=VT * ln(IC / IS)！！！！
由上图运放分析可知：VX = VY，即 I1 * R1 + VBE1 = VBE2，这样可得：
I1 = △VBE / R1，而且由于M1、M2的栅极电压相同，故电流I1 = I2，所以推导出公式：
I1 = I2 = VT * ln(N / R1)
上式中，N为Q1、Q2的PN结面积之比！！！
通过以上可得：VREF = I2 * R2 + VBE2，此处关键点：I1是正温度系数的，而VBE
是负温度系数的，再通过N值调节一下，可实现良好的温度补偿！得到稳定的基准电压！！N值一般业界按照 8 设计，想要实现零温度系数，根据公式可推算出：
VREF = VBE2 + 17.2 * VT
该值大概在1.2V左右，目前在低压领域可以实现小于1V的基准，而且除了温度系数还有电源纹波抑制PSRR等问题，限于自身水平问题，无法继续深入探讨，简图如下：
二、振荡器OSC和PWM
众所周知，开关电源的基本原理是利用PWM方波来驱动功率MOS管，故自然需要产生振荡的模块，原理很简单，即利用电容的充放电形成锯齿波和比较器来生成占空比可调的方波。
精密电流充放电振荡器原理
此处存在的技术难点是在电流模式下的斜坡补偿，针对的是占空比大于50%时为了稳定斜坡，额外增加了补偿斜坡，此处有待继续深入了解！！！
三、误差放大器
误差放大器的作用是为了保证输出恒流或者恒压，对反馈电压进行采样处理。从而来调节驱动MOS管的PWM，简图如下所示：
四、驱动电路
驱动部分结构较为简单，即大面积的MOS管，电流能力强！！！
五、其他模块电路
为了保证芯片能够稳定和可靠地工作，仍然需要其他模块电路进行配合，这些模块虽然不是电路的核心，却也是十分重要的。具体如下：
1、启动模块
启动模块的作用顾名思义就是用来启动芯片工作的，由于上电瞬间有可能所有晶体管电流为 0 并维持不变，这样无法工作。启动电路的作用就是相当于“点个火”，然后再关闭。如下图所示：
上电瞬间，S3自然是打开的，然后S2打开，可以打开M4、Q1等，就打开了M1 、M2，右边恒流源电路正常工作，S1也打开了，就把S2给关闭了，完成启动。如果没有S1、S2、S3，瞬间所有晶体管电流为0。
2、过压保护模块 OVP
很好理解，输入电压太高时，通过开关管来关断输出，避免损坏，通过比较器可以设置一个保护点。
3、过温保护模块 OTP
温度保护是为了防止芯片异常高温损坏，原理比较简单，利用晶体管的温度特性然后通过比较器设置保护点来关断输出。
4、过流保护模块 OCP
在譬如输出短路的情况下，通过检测输出电流来反馈控制输出管的状态，可以关断或者限流。如图的电流采样，利用晶体管的电流和面积成正比来采样，一般采样管Q2的面积会是输出管面积的千分之一，然后通过电压比较器来控制MOS管的驱动
当然还有一些其他辅助模块设计。
六、恒流源和电流镜
在 IC 内部，如何来设置每一个晶体管的工作状态，就是通过偏置电流，恒流源电路可以说是所有电路的基石，带隙基准也是因此产生的，然后通过电流镜来为每一个功能模块提供电流，电流镜就是通过晶体管的面积来设置需要的电流大小，类似镜像。
曲率补偿的能隙基准
七、小结
以上对DC/DC电源芯片LM2675的内部全部结构进行了简单的梳理，具体设计时还要考虑非常多的参数特性，同时需要做大量的分析和仿真，而且必须要对半导体工艺参数有很深的理解，因为制造工艺决定了晶体管的很多参数和性能，稍有差池出来的芯片就会存在缺陷甚至根本无法使用。整体芯片设计是一个比较复杂的系统工程，要求具备良好的理论知识和实践经验。以上与大家分享并共勉之！！！！