EOS英文全称Electrical Over Stress，是对所有的过度电性应力的总称。当EOS超过其最大指定极限后，器件功能会减弱或损坏，同时EOS也是公认的IC器件的头号杀手。
由于它可能发生在产品的研发、测试乃至生产、存储、运输的各个环节，故对厂商的电路设计、测试规范、生产流程以及物流中防护都有严格具体的要求。更可恨的是，EOS的发生情况复杂，神出鬼没，寻求一个完美的解决方案至今困扰着学术界和工业界。本文旨在分析EOS的成因、特点、破坏力、以及对于芯片厂商和系统设计人员的启示。
EOS是一个非常广的概念，物理上可以看成是一种较长时间的低电压，大电流的能量脉冲（通常电压500V，电流小于10A，纳秒发生时间），ESD可以认定是EOS的一种特例。两者的差异如下所示:
EOS：典型地，由电源和测试设备产生，事件持续时间再微妙~秒级。（也可能是毫秒级）。损坏的现象包括金属线熔化、发热、高功率、闩锁效应；短的EOS脉冲损坏看起来像ESD损坏。
ESD：ESD属于EOS的特例，有限的能量，由静电荷引起。事件持续时间在微微秒~毫微秒级。其可见性不强损坏位置不易发现。通常导致电晶体级别的损坏。
EOS成因很多，主要会出现在上下电瞬态过程，电流倒灌以及过度的电压电流驱动（常说的过载）。通常造成的破坏都是由于器件过热，损坏有三种类型：PN节击穿；金属层熔断；金属打线熔断。