SIMCOM SIM7600CE/A7600C-C1SE 硬件设计注意事项

诸多因素综合考虑下,XX市场目前大概率不会使用Quec OPENMCU方案的CAT1模组。国内主流通讯模组厂家除了移远、广和通、有方以外,可选的基本上就剩下龙尚和芯讯通(已被日海智能收购)。有备无患,找了款SIMCOM主流4G模组进行熟悉,记录相关注意事项。

注意事项列表(主要以SIM7600CE为主)如下:

1、SIM7600CE属于4G CAT4模组支持GSM,TD-SCDMA,CDMA,WCDMA,LTE-FDD和LTE-TDD;A7600C-C1SE属于4G CAT1模组支持GSM,LTE-TDD和LTE-FDD。

2、工作温度-30℃ ~ +80℃;扩展工作温度:-40℃ ~ +85℃;存储温度:-45℃ ~ +90℃。备注:在扩展工作温度范围内,模块可以正常工作,但不保证完全符合3GPP测试规范。特别注意:当温度超过-30℃ ~ +80℃范围时,SIM7600CE会通过AT口上报警告信息。当温度超过-40℃ ~ +85℃范围时,SIM7600CE自动关机。

3、注意:在正常开机前,COEX1、COEX3和USB_BOOT这些引脚不能上拉,否则会影响模组正常开机。USB_BOOT建议放置测试点,方便调试及升级。特别注意,在正常开机前,不能上拉USB_BOOT!!!开机后可作为COEX_RXD。

4、注意引脚电压域,VDD_P3 = 1.8V;VDD_P2/P5/P6 = 1.8V/2.85V;VDD_P8 = 1.2V。

5、PWRKEY引脚默认高电平0.8V(SIM7600CE),PWRKEY引脚PMU内部已通过50K(Typical)上拉到VBAT(A7600C-C1SE);RESET引脚内部已通过40KΩ电阻上拉至1.8V(SIM7600CE),RESET引脚PMU内部已通过50K(Typical)上拉到VBAT(A7600C-C1SE)。USB_ID必须保持悬空状态。

6、PIN66~72全功能串口如不使用,悬空即可。超出VDD_P3推荐电压范围可能会对模组造成损失或使用异常。

7、如何客户采用双层板设计,模组的供电可以只连接62,63脚或只连接38,39脚。由于这四个脚内部是连在一起的,这样客户的PCB可以得到较好的地平面。当模块在GSM模式下以最大功率发射时,电流峰值瞬间最高可达到2A左右(SIM7600CE)或最高可达到2.4A左右(A7600C-C1SE),从而导致在VBAT上有较大的电压跌落。特别注意:当电源能够提供2A/2.4A的峰值电流时,外部供电电容总容值,建议不小于300μF;若不能提供2A的峰值电流,则建议外部电容总容值不小于1000μF,以保证任何时候VBAT引脚上电压跌落不超过300mV。

8、为防止浪涌及高压毛刺对SIM7600CE/A7600C-C1SE的损坏,建议在模组VBAT引脚上并联一个TVS管。注意:客户自行选择TVS时,需要关注浪涌防护时的钳位电压,100V浪涌输入时钳位电压不要高于10V。客户如果设计VBAT供电为4.2V时,建议选用工作电压5V的TVS管。

9、特别注意:过压报警及过压关机功能默认关闭。

10、特别注意:PWRKEY引脚通过 0Ω 电阻连接到地时,模组自动开机。针对A7600C-C1SE模组,如果客户不需要上电自动开机,请不要在PWRKEY和RESET上并联超过10nF的电容,

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